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TUCSEN-半導體檢測

半導體掩膜檢測

應用需求與挑戰

在掩模版檢測中,任何細微缺陷都可能在光刻過程中被成倍放大,影響整個芯片批次的質量。相機不僅要具備極致的分辨率和精細的對比度還原能力,還需要適配深紫外甚至極紫外波段的光學成像,以滿足特殊檢測環境的需求。同時,掩模檢測要求高度穩定和長期一致的性能,確保檢測結果的可靠性和可重復性。

3-3掩模版檢測

典型相機推薦

Gemini 8KTDI

Gemini 8KTDI

深紫外高速TDI-sCMOS相機

193 nm 位于 DUV(100–200 nm)深紫外波段,是光刻環節的核心光源(ArF 準分子激光),在 20 nm 及更先進工藝中發揮著關鍵作用。在檢測環節,193 nm 被廣泛用于掩膜版缺陷檢測與光刻膠圖形驗證,可揭示亞微米甚至納米級缺陷,從而實現高精度工藝監控。
Gemini 8KTDI在 193?nm 波段的響應能力已通過相關實驗室驗證。憑借 18 年在高信噪比成像、高速數據傳輸以及特殊波長極限探測技術的深厚積累,鑫圖成為國內極少數能夠支持 193?nm 深紫外(DUV)高光子能量科研與檢測應用的專業相機供應商。

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